韓経:サムスン、日本の報復も「超格差」拡大…世界初「第6世代V-NAND」SSD量産

韓経:サムスン、日本の報復も「超格差」拡大…世界初「第6世代V-NAND」SSD量産

2019年08月07日11時10分
[ⓒ韓国経済新聞/中央日報日本語版]
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  サムスン電子がメモリー半導体でまたも「超格差」を証明した。128層の第6世代V-NAND型フラッシュメモリーを基盤としたPC用ソリッドステートドライブ(SSD)を世界で初めて量産した。日本の経済報復で半導体素材調達の不確実性が高まった状況でも、技術力を通じて微細工程の限界を克服し、生産性を高める計画だ。

  サムスン電子は「第6世代256Gb(ギガビット)TLC V-NAND」を基盤とした企業用PC SSDを量産し、グローバルPC企業に供給したと6日、発表した。具体的な積層数を明らかにする代わりに「1XX層」と表現したが、市場では128層に成功したと見なしている。128層NAND量産はSKハイニックスがすでに6月に世界で初めて成功したと発表した。その代わり128層NANDを基盤としたSSDの量産はサムスン電子が世界で初めて。

  サムスン電子の128層成功が意味深い理由は100層以上のセルを貫通する「チャンネルホールエッチング技術」を適用したためだ。SKハイニックスや東芝メモリなどのライバル企業は100層以上を貫通する技術を確保できず、64層ずつ2度に分けて通している。90層以上の製品の最上層から最下層まで垂直に一度に貫通する工程技術を保有する企業はサムスン電子が唯一だ。工程数が異なる企業に比べて少ないだけに製品マージンはさらに高まる。

  NAND型フラッシュメモリーはセルを高く積むほど容量が大きくなるが、この時に速度を維持・改善することも重要だ。会社側は超高速設計技術を適用し、TLC V-NAND歴代最高速度を達成したと説明した。第5世代(92層)V-NANDより工程数とチップの大きさを減らして生産性も20%以上高めた。
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