サムスン電子は１４日、折りたたみスマホ「ギャラクシーフォールド」に使われる１２ギガバイト（ＧＢ）モバイルＤＲＡＭの量産に入ると明らかにした。１２ＧＢモバイルＤＲＡＭは世界最大容量で既存製品より１．５倍水準の容量だ。

サムスン電子によると「１２ＧＢ・ＬＰＤＤＲ４ＸモバイルＤＲＡＭ」は第２世代１０ナノ級（１ｙ）１６ギガビット（Ｇｂ）チップを６個搭載した製品だ。現世代のモバイル機器で最も速い速度である１秒当たり３４．１ギガバイト（ＧＢ）の速度でデータを読み書きできる。パッケージの厚さも１．１ミリメートルにすぎず、モバイル機器をさらに薄く設計できる。

◇最も速い速度…折りたたみスマホに使われる見込み

１２ＧＢモバイルＤＲＡＭは折りたたみスマホをはじめとする新型フォームファクターに主に使われるものとみられる。サムスン電子関係者は「折りたたみスマホのように画面がこれまでより２倍以上広くなった超高解像度スマホで多様なアプリケーションをさらに円滑に使用できるだろう」と明らかにした。

サムスン電子メモリー事業部マーケティングチームのチョン・セウォン副社長は、「１２ＧＢモバイルＤＲＡＭを本格量産し次世代フラッグシップスマホに必要なすべてのメモリーラインナップを業界で唯一供給することになった。顧客のＤＲＡＭ需要増加に合わせ平沢（ピョンテク）での生産比率を持続的に拡大し、プレミアムモバイル市場での地位を強化させていきたい」と強調した。

◇平沢で「第２世代１０ナノ級モバイルＤＲＡＭ」割合拡大か

サムスン電子の平沢半導体ラインはＤＲＡＭをはじめとするメモリー半導体を主に生産する所だ。最近サムスン電子は韓国電力、安城市元谷面住民対策委員会と協議し、西安城～高徳送電線の山岳区間１．５キロメートルを地中化することで合意した。平沢半導体工場に電力を安定的に供給するのが目的で、２０１４年から約５年間サムスンは韓国電力や安城市と協議を経てきた。

送電線電力供給問題が解決されればサムスン電子は昨年着工した約３０兆ウォン規模の半導体第２ラインの投資を予定通りに推進する方針だ。サムスン電子のキム・チャンハン専務は「今回の合意を引き出した韓国電力と住民対策委、安城に地方区を置くキム・ハクヨン国会議員に謝意を示したい。半導体事業をしっかりやり国と地域経済発展のため努力したい」と話した。