サムスン電子、第5世代V-NANDで技術格差さらに2年広げる

サムスン電子、第5世代V-NANDで技術格差さらに2年広げる

2018年07月11日09時07分
[ⓒ 中央日報/中央日報日本語版]
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サムスン電子が開発した第5世代NANDフラッシュの試作品。今月から京畿道の平沢工場で量産中だ。
  サムスン電子が第5世代の3次元(3D)V-NANDフラッシュメモリを本格量産する。2016年12月に第4世代256ギガビット(Gb)NANDの量産を始めてから1年7カ月ぶりで次世代製品に進化するのだ。サムスン電子は世界で初めて256Gb容量の第5世代V-NANDを量産すると10日に発表した。データ処理スピードは速くなり電力消費は減らしたのが特長だ。

  第5世代V-NANDには次世代NANDインターフェースと呼ばれる「トグルDDR 4.0」規格が初めて適用された。データ処理速度が1秒当たり1.4Gbで第4世代と比較して40%速い。動作電圧は1.8Vから1.2Vに33%減らして、データ使用時間は30%速い500マイクロ秒となった。

  第5世代V-NANDは「3次元(円筒形)CTFセル」が90段以上積む方式で作る。フラッシュメモリは段数が高いほど同じ容量を実現するチップが少なくなる。同じ面積に一戸建て住宅よりマンションを作れば効率が高まるのと似た道理だ。既存の第4世代では平面基板の上に64段までセルを積み上げた。同社は最上段から最下段まで直径数百ナノメートル(nm)の微細な穴を垂直にあけて安定性・効率性を拡大した。

  サムスンは京畿道(キョンギド)の平沢(ピョンテク)工場で第5世代V-NANDを生産し、市場状況により供給量を増やす方針だ。東芝、WDC、マイクロンなど競合会社が第4世代64~72段製品を主力にしているという事実を考慮すると、サムスンとしては「格差拡大」に成功した。業界ではサムスンがこれら企業より2年ほど先を進んでいると評価する。中国は今年32段3D-NANDを量産する計画だ。第2世代程度の技術だ。市場調査機関のDRAMエクスチェンジによると、サムスン電子は今年1-3月期に37%のNANDフラッシュシェアを記録している。NANDフラッシュ価格が下落傾向の中で収益性維持にも一役買う見通しだ。

  同社フラッシュ開発室長のキョン・ゲヒョン副社長は、「今後半導体チップひとつに1兆個以上の情報を保存する1テラビット(Tb)V-NANDと、ひとつのセルに4ビットを入れるQLC製品にラインナップを拡大し市場変化を主導する」と話した。

  
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