韓国半導体業界が中国との格差を広げる。韓国半導体業界の二本柱のサムスン電子とＳＫハイニックスが相次いで世界最高水準の技術を適用したメモリー半導体の量産を始め、「超格差戦略」に拍車を加えている。

ＳＫハイニックスは第２世代１０ナノ（１ｙ）級微細工程を適用した８６Ｇｂ　ＤＤＲ４　ＤＲＡＭを開発したと１２日、明らかにした。この製品は以前の製品の第１世代（１ｘ）に比べて生産性は２０％高く、電力消費は１５％低い。データ伝送時にやり取りする信号を以前の倍に増やし、データ伝送速度は業界最高レベルだ。

ＳＫハイニックスＤＲＡＭマーケティング担当のキム・ソク常務は「高速道路の料金精算所を増やせば車の通行が円滑になる原理」とし「来年１－３月期にパソコンとサーバーに使用される製品をはじめ、モバイル用まで迅速に量産を始める」と説明した。

サムスン電子は昨年１１月、似たレベルのＤＲＡＭの量産を始めた。７月にはさらに発展した第２世代１０ナノ級（１ｙ）工程を適用して１６ＧｂモバイルＤＲＡＭの量産に入った。

過去最高の好況を迎えた韓国半導体産業に大きな脅威となる中国の追撃は米中貿易戦争で停滞する状況だ。先月、米商務省が中国福建晋華半導体に対する輸出制裁に入った。来年初めのＤＲＡＭ量産を控えた福建晋華が米国産の装備やソフトウェア、部品などを輸入できなくなれば、量産時期は遅れるしかない。

韓国半導体業界が直ちに利益が生じるわけではないが、技術の差をさらに広げる余裕が生じた。まだ中国のメモリー半導体レベルは韓国より３－５年遅れているというのが業界の分析だ。しかし中国の半導体追撃は供給急増による「価格ピーク論」の原因に挙げられる。

中国が量産を控えているメモリー半導体と韓国の製品は需要層が異なる。中国ＹＭＴＣが来年初めに量産する製品は３２層３Ｄ　ＮＡＮＤフラッシュだ。サムスン電子とＳＫハイニックスが２０１４年に量産を始めた製品で、両社ともに現在はこの製品をほとんど生産していない。現在の主力製品は６４－７２層３Ｄ　ＮＡＮＤフラッシュであり、技術の格差は大きい。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは回路を積み上げる「層」が高いほど高度な技術力が必要で、同じ層数でも適用される技術によっていくつかの段階に分かれる。例えばサムスン電子は２０１２年に２０ナノ級（２ｙ）ＤＲＡＭを開発し、５年後の２０１７年１１月に次の段階の第２世代１０ナノ級ＤＲＡＭの量産に成功した。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの場合、サムスン電子はすでに第６世代（１２０層台）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー量産（来年末）を準備している。

極東大半導体装備工学科のチェ・ジェソン教授は「来年量産する中国製品が話す人形に適用されるレベルなら、韓国の製品はプレミアムスマートフォンに使われるレベル」とし「技術の格差を広げる余裕が生じたということに意味がある」と説明した。

まだ技術の差は大きいが、中国の技術発展ペースは韓国半導体産業に大きな脅威というのが業界の分析だ。例えば２０１６年に設立されたＹＭＴＣは中国政府の補助金、税制優遇などを受け、設立４年でＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの量産に入る。中国が本格的に生産すれば価格の下落が避けられないということだ。

グローバル市場調査会社ＤＲＡＭエクスチェンジは来年のＤＲＡＭ価格は今年より１５－２０％、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは２５－３０％落ちると予想した。朴在勤（パク・ジェグン）漢陽大融合電子工学部教授は「需要層が違っても心理的な要因などで価格下落は避けられないだろう」と話した。

現在、サムスン電子は１０ナノ以下の次世代ＤＲＡＭの量産に向けて極端紫外線（ＥＵＶ）工程の導入に入り、ＳＫハイニックスも年末に９６層４Ｄ　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの量産に入る。サムスン電子メモリー事業部マーケティングチームのチョン・セウォン専務は「プレミアムＤＲＡＭラインナップを拡大して『超高速高容量超節電』メモリー市場のトレンドを主導していく」と話した。