日本の東芝が１兆４０００億円（１１兆６０００億ウォン）を投じてフラッシュメモリー半導体を生産する２つの工場を新設することにしたと、日本経済新聞が２９日報じた。

東芝は今月に入って三重県で第４工場を稼働したのに続き、来年には第５・６工場に着工し、０９年から一部稼働するという。

すでに工場を増設した東芝が追加で設備投資を発表したのは、フラッシュメモリー半導体市場でトップを走る三星（サムスン）電子に追いつくためと解釈される。

東芝が生産を増やすフラッシュメモリーは、携帯用音楽プレーヤー、デジタルカメラ用メモリーカードに使われる‘ＮＡＮＤ型’。

東芝の現生産能力は月２０万枚（３００ミリ・ウエハ基準）水準だが、０９年には月４０万規模に増える。 さらに第５・６工場が稼働した場合、生産能力は月８０万枚になる。

日本経済新聞は「東芝の第４工場が完全稼働する０９年には生産能力で三星を上回る見込み」と報じた。

これに対し三星電子の関係者は「最近稼働を始めた米オースチンの３００ミリ・ウエハ半導体工場をＮＡＮＤ型フラッシュ専用として運営するなど、三星も東芝に劣らず生産能力の拡大に積極的」と語った。

三星電子は２０１２年までに７つの半導体生産ラインを追加で建設する計画だ。 具体的な日程は決まっていないが、現在世界１位のＮＡＮＤ型フラッシュとＤＲＡＭの生産能力をともに高めていく方針という。

特に三星電子側は「ＮＡＮＤ型フラッシュの技術力では東芝を上回っている」と自信を表した。 三星電子は１０月、世界で初めて３０ナノ級６０ギカバイトフラッシュメモリーを開発、来年からは４０ナノ級を本格量産する。 東芝はまだ３０ナノ級を開発していない。