주요 기사 바로가기
韓国語
英語
中国語
最新記事
ニュース
政治
経済
国際・日本
北朝鮮
社会・文化
スポーツ
オピニオン
社説
コラム
日本関係のコラム
エンタメ
ドラマ
音楽
映画
アイドル
芸能一般
ランキング
アクセス
コメント
みんなの感想
韓日関係
南北関係
アイドル
IT
三星電子、40ナノ級「フュージョンメモリー」世界で初めて開発
공유하기
공유하기
공유하기
검색 열기
전체 카테고리 메뉴
ニュース
政治
国際・日本
社会・文化
最新記事
ニュース
経済
北朝鮮
スポーツ
オピニオン
社説
コラム
日本関係のコラム
エンタメ
ドラマ
音楽
映画
アイドル
芸能一般
ランキング
ニュース
コメント
みんなの感想
검색어 입력폼
見出し or 本文
見出し and 本文
三星電子、40ナノ級「フュージョンメモリー」世界で初めて開発
2009.03.11 13:08
0
글자 작게
글자 크게
三星(サムスン)電子は40ナノ級(1ナノメートル=10億分の1メートル)極微細工程を適用した8ギガビット(Gb)用量の「フレックスワンNAND」を開発したと10日、発表した。
このチップは速度の速い「SLC・NANDフラッシュ」と用量の大きい「MLC・NANDフラッシュ」メモリーを1つに統合したフュージョンメモリー半導体だ。